富士通微电子2012年上半年开始量产基于Si底板的GaN类

2010-01-29

　　富士通微电子将从2010年4～6月开始样品供货基于Si底板的GaN类功率元件。考虑2011年中期开始量产，2012年上半年转为全面量产。投资金额为数十亿日元。 　　产品以富士通研究所于2009年6月宣布开发成功（参阅本站报道）的使用GaN类半导体的HEMT为基础。为了在电源|稳压器电路上使用，当时采用了不施加栅极电压漏电流就不会流出的常闭（NormallyOff）型。虽然采用了SiC底板，但

华胄论坛（bbs.huazhoucn.com）专项备案通知

2010-01-14

尊敬的广大客户及业界朋友： 近期由于接到工信部通知，要开展论坛实名制管理及论坛专项备案工作，我司决定于元月十四日暂时关闭华胄论坛（bbs.huazhoucn.com）,进行论坛专项备案工作。 在此期间，给论坛社区用户及广大客户带来不便之处，敬请原谅！ 深圳华胄科技有限公司 2010-1-14

Ramtron与富昌电子合作扩展全球分销市场

2010-01-13

COLORADO SPRINGS, CO – January 12, 2010 – Ramtron International Corporation (Nasdaq: RMTR), the leading developer and supplier of nonvolatile ferroelectric random access memory (F-RAM) and

Ramtron发布具有射频功能的MaxArias?无线存储器

2009-10-14

COLORADO SPRINGS, CO – 2009年10月6日 –世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation日前宣布，现正向数个行业的客户提供首款MaxArias™无线存储器产品的beta测试样品。Ramtron的MaxArias™无线存储器产品将无线

Ramtron推出平行F-RAM内存组件FM14C88

2009-09-11

　　Ramtron International公司宣布推出新款的平行F-RAM内存FM14C88，它可满足磁盘阵列(RAID)储存服务器及主机总线适配卡(HBA card)等应用需求。 　　与nvSRAM相较，FM14C88的读写速度更快，工作电压更低。FM14C88的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速存取、无延迟写入、几乎无

Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口储存器

2009-09-02

非易失性存储及无限读写特性实现数据可靠性 2009年9月1日——世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。 与nvSRAM相比，FM14C

深圳华胄科技公司销售经理离职公告

2009-09-01

尊敬的客户： 您好！ 原我司销售经理黄健强已经离开本公司，相关销售业务交由曹小姐进行处理，电话：0755-82127290；手机：13686812279 ；邮箱： janey@huazhoucn.com。 即日起，黄健强将不再担任销售职务，该人员的一切行为均属个人行为，本公司概不负责。感谢大家的长期以来对我司的的支持与厚爱！ 特此公告。 深圳华胄科技有限公司 2009年

Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

2009-08-18

　　日前，Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM2

Ramtron创意征文推动国内科技博客交流

2009-08-11

　　日前，Ramtron International Corporation，宣布其主办之“Ramtron创意征文” 活动 (www.ramtron-online.cn/activity/ramtronblog/) 反应热烈，将可推动国内电子工程社群对话交流，进一步带动国内相关创意水平。 　　“Ramtron创意征文” 由Ramtron主办