凌力尔特推出8通道LED驱动器LT3760

2009-12-18

　　凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 8 通道 LED 驱动器 LT3760，该器件采用一个升压型 DC/DC 控制器，每个通道能驱动高达 45V 的 100mA LED 串。其内部 60V、1MHz DC/DC 升压型控制器设计成面向多达 80 个白光 LED 的恒定电流 LED 驱动器。LT3760 用一个 12V 输入可以驱动 8 个通道，每

安森美半导体推出符合汽车标准的自保护低端IC

2009-12-18

　　首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET 。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。 　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了提供强固及可靠的

打破数据中心瓶颈需开放统一存储架构

2009-12-18

　　Seth Bobroff表示，构建动态数据中心是趋势所在，但如今的数据中心在存储、网络方面面临性能、成本和扩充性的瓶颈。而要打破存储瓶颈，需要一个开放、统一的存储架构。 　　据介绍，2009年，英特尔内部已经开始对服务器、存储、网络业务进行整合，原先的服务器平台事业部也升级成了现在的数据中心事业部。在开放、统一的数据中心架构之下，英特尔会进一步融合服务器、芯片、万兆以太网、FCoE、高性能固

中星微邓中翰：走出中国式创新之路

2009-12-18

　　2009年，对中星微电子有限公司董事局主席邓中翰来说，是不寻常的一年： 　　今年，他从美国硅谷回国创业满10周年，具有自主知识产权的“星光中国芯”成功打入全球市场，成为图像输入芯片领域的“一哥”，“星光”系列多媒体芯片已植入了苹果、索尼、三星、戴尔等全球顶尖品牌计算机和手机中； 　　同样是在今年

电子元器件分享3G盛宴

2009-12-18

　　随着3G网络建设的推进，我们于第4季度始将电信应用领域作为首选的投资重点。这一观点在10年投资策略中得以延续。 　　我们看好电信应用的理由如下：(1)我们预期中国可能用3~5年的时间完成主体用户从2G向3G的迁移，由此将带动终端相关产业链的发展；(2)移动互联产业成长将超出预期。随着手机上网费的降低、用户认知度的提升，WAP应用及内容的进一步丰富，将形成用户规模、黏性双增长、WAP内容逐步丰

Maxim推出微型LNA，有效改善GPS接收灵敏度

2009-12-17

　　日前，Maxim推出两款微型、可直接采用电池供电的LNA (低噪声放大器) MAX2657和MAX2658，设计用于1575MHz频段、带有GPS功能的产品设计。这两款器件结合了Maxim创新的SiGe BiCMOS工艺和WLP (晶片级封装)技术，噪声系数仅为0.8dB，大大提高了GPS接收灵敏度。该灵敏度优于分立的GaAs和Phempt LNA以及高度集成的RF CMOS方案。两款器件的功

Intersil将收购中国本土的电源制造商磐大微电子

2009-12-17

　　Intersil公司日前宣布，签署了收购磐大微电子的最终协议。磐大微电子是一家私营无晶圆半导体公司，在高集成度电源|稳压器管理IC技术上处于领先地位。 　　磐大微电子为无线、音频、视频和数据通信解决方案提供高性能模拟和混合信号集成电路，其产品主要用于消费类终端市场，如手机、个人导航设备、便携式多媒体播放机和其他流行的消费电子产品等应用。 　　Intersil的CEO Dave Bell 认

多晶硅单月产量世界三强之江苏中能

2009-12-17

记者日前从江苏中能硅业科技发展有限公司了解到,自10月份以来,该公司多晶硅单月产量已稳定突破1000吨,跻身世界前三强. 江苏中能副总经理吕锦标介绍,目前公司的多晶硅产能已达1.8万吨,其中一、二期两条1500吨生产线稳定达产.三期项目的三条5000吨生产线,经过3至6个月运行也已达到设计产能的78%. 据了解,今年10月份江苏中能的多晶硅产量达到1012吨、11月份达到1050吨.

针对嵌入存储应用的完整SAS 2.0 IP解决方案

2009-12-16

　　日前，CEVA 公司和Gennum旗下Snowbush IP Group (Snowbush) 宣布结成合作伙伴，提供针对嵌入存储应用而优化的完整的Serial Attached SCSI (SAS) 2.0 IP解决方案。这款综合产品集成了Snowbush经硅验证的6.0Gbps PHY IP和CEVA的SAS 2.0 Controller IP，构成业界最成熟且功能丰富的SAS 2.0 I