Littelfuse推出SP6001/2硅控保护阵列

2009-11-16

Littelfuse Inc. 日前宣布推出 SP6001 和 SP6002 系列器件,它们具有低通和C-R-C滤波的特性.SP6001 系列采用 24pF 的线路电容,并具有大约 115MHz 的截止频率.SP6002 系列与其相似,具有 30pF 的线路电容,截止频率大约为 100MHz . 每个系列都有一个 4 和 6 通道版本,它们能够在 800-3000MHz 频率提供大于等于 -3

AMD计划明年推出首款四核笔记本芯片

2009-11-16

AMD昨天公布了Fusion处理器的产品路线图,该处理器采用了下一代架构,整合了GPU与CPU.在AMD总部召开的年度分析师会议上,AMD透露,Fusion处理器2011年前不会上市.会上,AMD管理层还讨论了明年的产品计划. AMD深信Fusion处理器将成为产业的颠覆者,它将CPU与GPU整合于一块芯片中,整合后芯片将更小,效能更高.Fusion处理器中的CPU单元由两个新的X86核心组成

VLSI Research:芯片库存仍维持在低点 芯片价格上扬

2009-11-16

市场研究机构VLSI Research指出,芯片市场库存水位目前仍维持在以历史标准来看的低点,虽然有部分芯片厂商的库存已经是今年以来的最高水平. 根据VLSI Research的9月份初步统计数据,目前芯片库存量大约等同于一个月的出货量(billings);该机构执行长G. Dan Hutcheson表示,这样的库存-出货比(inventory-to-billing ratio)与1980年代

Cypress推出通用CMOS图像传感器

2009-11-13

　　赛普拉斯半导体公司日前推出一款面向机器视觉市场的高灵敏度高速CMOS图像传感器。该款全新的130万像素VITA 1300传感器结合了管线式和触发式全局快门，具有150帧/秒(fps)的无图像畸变高帧频，而且读出速度很快。管线式全局快门功能能够在读出期间进行曝光，从而减少运动图像的模糊程度。该传感器还可工作于具有中央动态存储器(CDS)的滚动快门状态，以降低噪声，增加动态范围。新型VITA 13

韩国46家电子企业共同拓展中国内陆市场

2009-11-13

　　韩国电子信息通信产业振兴会部长姜弘植十一日在上海表示，韩国电子企业看好中国广阔市场。尤其是中国西部开发，为韩国电子业拓展中国内陆市场带来了机遇。 　　姜弘植是在今日开幕的二00九亚洲电子展上作以上表述的。姜弘植同时还表示，由于看好中国乃至亚洲的电子产品市场，韩国四十六家电子企业携带了数字家电、多媒体、通信网络、汽车电子、电源|稳压器电池、半导体等领域的绿色环保高新技术产品来沪，希望将最新的技

东芝推出配备BSI的高灵敏度CMOS图像传感器

2009-11-12

日前,东芝宣布推出一款新型的CMOS图像传感器,可使数码照相机以及支持视频成像功能的手机达到1460万像素.这款传感器是东芝"Dynastron?"注1系列的最新产品,同时也是公司首次尝试用后端照明技术(BSI)增强感光度.这款新型传感器的样品将于12月份出厂,从2010年第三季度(7月-9月)开始量产. BSI技术将CMOS成像的灵敏度提升到了一个新的水平.透镜排列在传感器后方的硅衬底上,而

传Sharp薄膜太阳能电池厂产能已达满载

2009-11-12

　　日本媒体日刊工业新闻10日报导，太阳能电池巨擘Sharp因欧洲需求下滑而于2008年末进行减产的薄膜型太阳能电池厂产能目前已回复至满载状态。报导指出，因德国、法国及意大利等国对于太阳能电池的需求已呈现回复，故Sharp旗下薄膜太阳能电池生产据点葛城工厂产能已达满载的160MW，且Sharp也计划于今(2009)年内藉由提高光电转换率进一步将产能提高10%。 　　报导指出，Sharp葛城工厂于

MCU：ARM产品蚕食工业市场 固守核心优势

2009-11-12

嵌入式应用MCU业务被证明是半导体产品市场上一项赚钱的业务.根据市场调研公司iSuppli的统计,仅仅在中国,目前嵌入式应用MCU市场每年都有20亿美元左右的规模.因此,在半导体业务增速放缓,经济大环境并不乐观的情况下,大多数拥有MCU业务的公司都在加强该项业务.而在此过程中,MCU厂商的策略各有不同. CortexM3拓展消费和工业市场或将形成三足鼎立局面 毫无疑问,基于ARMCorte

18公司在欧实施将电容器集成硅芯片项目

2009-11-12

　　欧洲开始实施在硅芯片上集成电容器的技术开发项目"MaxCaps"，共有17家半导体及汽车企业和1家研究机构参与。预定该项目将一直持续到2011年8月，项目的预算总额为275万欧元。德国英飞凌科技宣布，该公司将负责协调5家参与该项目的德国公司。 　　项目的目的是在硅底板上集成电容器，以削减目前广泛应用的芯片电容器。参加该项目的企业将开发介电率高达50以上的介电材料及蒸镀工艺。