闪存市场售价下滑 但机会仍然众多

2007-11-06

　　业内预测2007年闪存市场将出现下滑，但这不足以减慢闪存市场的增长速度。实际上，市场调研公司IC Insights仍然看好该产品领域的长期前景。IC Insights在McClean报告(The McClean Report)的半年更新中预测，2007年闪存市场将比2006年下降1%，从201亿美元降到199亿美元。但是，预计该闪存市场2008年将反弹16%，达到231亿美元。

Ramtron针对智能动力传动应用的4Kb F-RAM存储器

2007-11-06

Ramtron针对智能动力传动应用的4Kb F-RAM存储器 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合AEC-Q100的规范要求，可在-40℃至

LSI推出针对下一代网络的高级通信处理器 APP3300

2007-11-05

LSI 公司推出全新高级通信处理器 APP3300，针对有线和无线市场置入了安全协议处理引擎。APP3300 与 LSI APP300 一样，采用了业界一流的流量处理技术，该技术已得到顶尖网络设备供应商青睐，并在全球运营网络中大规模部署。APP3300 大幅提高了在服务分类、服务交付和针对下一代接入网络的安全服务方面的性能。 网络回程从 T1/E1 租线路移植到成本更低的以太网线路上时，APP3

远程测试与信息化技术将普及

2007-11-05

目前，作为科技创新成果的武器装备远程测试与诊断信息化技术，将在武器装备中得到推广应用。它主要是解决远程测试诊断困难、诊断信息共享困难等问题，实现了多兵种武器装备在全寿命过程中的测试和诊断信息的统一，为装备的维护和新型号的研制提供强有力的保障。  故障诊断是测试的最高境界。“华佗电子诊所”HTEDS8000故障诊断系统是在通用测试技术的基础上，以多

无源元件市场平静中涌荡着波澜

2007-11-05

　　在半导体领域，几乎任何电路的设计都无可避免地会使用到无源元件，但无源元件本身却很少站在行业发展、技术创新的尖端，成为众人关注的焦点。它低调的存在，淡如空气，却又在某种程度上支撑着电子产业的发展。 　　经过五年漫长的供需调整，全球无源元件市场自2005第四季度开始回升，供需逐渐趋于平衡并进入新一轮的行业复苏。电容、电阻、电感三大基础类无源元件，也酝酿出良好的发展前景

日本无晶圆公司Genusion透露新型4兆闪存技术

2007-11-05

日本无晶圆芯片设计公司Genusion Inc.日前透露其已将新型4兆闪存技术用于生产。 据悉，Genusion一直开发其所谓的“B4-Flash”技术，该技术利用公司专有的B4-HE(back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron)注入技术来进行编程。 该技术解决了一个编程速度的问题。公司称

通用闪存UFS标准建议出炉 七家电子巨头鼎力支持

2007-11-05

日前，七家电子厂商宣布他们对下一代可移动内存卡标准提供支持。通用闪存(Universal Flash Storage，UFS)新标准由Jedec标准组开发，建议将有望成为可移动内存卡和嵌入式内存产品的行业标准。 提出建议的厂商包括美光公司(Micron Technology, Inc)、诺基亚(Nokia)、三星电子(Samsung Electronics)、索尼爱立信(Sony Ericsso

fimicro将Ramtron的4MB FeRAM用于智能I/O模块设计

2007-11-05

非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商fimicro已在其新型的active104系列PC/104兼容单板计算机(SBC)和智能I/O扩展模块中，采用了Ramtron的非易失性F-RAM存储器。fimicro已在其active104 SBC、RAID、以太网和USB

美信最新低噪声放大器面向GPS和伽利略应用

2007-11-02

Maxim Integrated Products针对GPS、伽利略以及GLONASS应用推出MAX2659高增益、低噪声放大器(LNA)。该器件采用Maxim先进的、低功耗SiGe BiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数，同时分别将输入参考1dB压缩点和三阶交调点降低至-12dBm和-2dBm。 　　作为Maxim最高增益和最低噪声系数的SiGe BiC