睿思新推4埠USB3.0主端控制芯片FL1100

2011-10-08

　　近日消息，据外媒报道，美商睿思科技(Fresco Logic) 推出一款4埠USB3.0主端控制芯片FL1100。该元件整合USB实体层，是 Fresco GoXtream 系列的最新成员，具备 GoXtream 的专利架构优势，并符合多种最新协定，包含 UASP(USB Attached SCSI Protocol)、硬件架构连接层电源管理(hardware-based LPM)、和弹性的

三星新推影像传感器系统单晶片S5K8AA

2011-10-08

近日消息，据外媒报道，三星电子(Samsung )于日前推出支援高画质影片与视讯电话，可应用在不到3公厘的数位相机 模块内的120 万画素，1/8.2 寸 CMOS 影像传感器系统单晶片(SoC)——S5K8AA。 　　三星表示，现今的行动装置主要锁定更高分辨率的相机以及大幅升级的显示荧幕，同时仍维持小巧的外型。三星创新的极致超薄 S5K8AA 传感器支援上述关键需求，并

ST新推四款放大器芯片

2011-10-08

　　近日消息，据外媒报道，意法半导体(STMicroelectronics , ST )新推出四款获得QML V官方认证的放大器芯片RHF484 , RHF310 , RHF330, RHF350 。 　　新产品包括四款芯片： RHF484, RHF310, RHF330, RHF350 。 RHF484是由4个RHF43B组成的4路运算放大器，可替代工业标准运算放大器芯片，采用Flat-14W

Broadcom推首款NFC芯片 移动支付与消费电子实现互联

2011-09-30

Broadcom(博通)公司宣布，推出一个新的近距离通信(NFC)芯片系列，该系列芯片可促进NFC技术在消费电子产品中的大量采用。这些新推出的芯片同时满足了对功耗、尺寸和功能的要求，提供了设备制造商所需的先进功能，可促进NFC技术在消费电子产品中的采用。 　　新的Broadcom® BCM2079x系列芯片采用40nm CMOS工艺技术制造，功耗降幅高达90%多，组件数量和占板面积均减少

三星电子开发新一代LPDDR3移动DRAM技术

2011-09-30

日前,本报记者获悉,三星电子近期加快了产品技术研发步伐,先是在行业首次研发出了30纳米级(1纳米为10亿分之一米)4Gb (gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)移动DRAM技术,接着是开发出基于20纳米级(一纳米为10亿分之一米)64GbNAND Flash平台的64GB(gigabyte)高性能内存存储卡，产品更新换代速度在行业中首屈一指, 这

法国专业芯片代工厂Altis半导体在上海开设办事处

2011-09-30

总部位于法国巴黎的半导体芯片专业代工厂Altis Semiconductor日前宣布在上海开设办事处，陈维津(Javen Tan)被任命为亚太区销售总监。Altis Semiconductor称上海办事处将为该公司在亚太区不断扩大的客户群提供销售与技术支持，以满足亚太区，特别是中国市场对无线射频、模拟混合信号、非易失性存储器、高压和汽车电子产品日益增长的需求。 Altis销售与营销副总裁Kar

台湾半导体电子业无薪假裁员潮可能卷土重来

2011-09-30

据台湾媒体报道，随着欧洲及美国的债务危机的加剧，台湾半导体电子业开始担心新一轮大规模无薪假裁员潮可能卷土重来。电子业是台湾出口的主要动力,而欧美消费市场为一向是台湾厂商订单的主要来源。这波源起欧洲及美国的债务危机,使全球经济蒙上二次衰退的不确定性下,台湾厂商订单能见度已不明朗。 台湾电子类指数今年来已经下滑约近22%,尤其是从7月以来呈向下俯冲之势,拖累大盘加权股价指数跌幅亦近20%。一些公司

英飞凌推一般照明专用高功率LED驱动器

2011-09-30

　　英飞凌(Infineon Technologies AG)针对一般照明应用，推出高功率 LED 之交换式 LED 驱动器系列产品。新型驱动器结合过热保护功能，支援 350mA 到数安培的弹性输出电流范围，有助延长 LED 使用寿命，为高效率室内外照明设备提供经济实惠的解决方案。 　　新型 ILD 系列产品包括LED 驱动器 IC 及整合式功率级 (power stage) 或搭配外部 MOS

IR针对感应加热应用推出超高速1200V IGBT

2011-09-30

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(InternatiONal Rectifier，简称IR)近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTs)，该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。 　　全新1200 V IGBT 器件采用 IR 成熟的纤薄晶圆场沟道技术，提供关键的性能优势，包括可降低功耗和提升功率密度的低 VCE (on) 及超高速开关。