媒体报道
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新款500V的N沟道功率MOSFET超低导通电阻
2010-10-21
日前,Vishay Intertechnology宣布,推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。
泰克推出全球最佳过采样性能的高带宽示波器
泰克公司日前宣布,推出DPO/DSA/MSO70000C系列数字与混合信号示波器,采样率高达100 GS/s,在噪声更低的同时提供5倍过采样,带宽达20 GHz。这款全球最佳过采样性能的高带宽示波器具有多种显着优点,包括更加精确的信号完整性测量功能, 适用于PCI Express Gen 3等高速串行标准。其他增强功能包括全新的、更快速的计算平台,以及适用于雷达应用的高稳定时基。 带宽大
Hittite推出SMT封装的控制器HMC677G32
近日,全球知名的射频微波MMIC厂商HitTIte公司,近日宣布在其接口产品线中全新推出一个SMT封装的控制器HMC677G32。 HMC677G32是一个多功能双互补MOS控制接口IC,非常适用于驱动场效应管的栅极和基于pHEMT的MMIC器件控制。这款独一无二的IC可以用来简化微波和毫米波的传输/接收模块,军事子系统和多掷多通道测试测量设备。HMC677G32可以接收TTL/CMOS
国内3G基带芯片年成长率高达98%
国内3G市场初期发展速度虽不如预期,不过,在网络逐渐布建完成、终端款式趋于多元、优惠资费方案刺激等多方助力拉动下,预期2010年国内3G用户数可望出现跳跃式成长,DIGITIMES Research认为3G用户数大幅成长将带动国内3G基带芯片(Baseband IC)市场由2009年2,680万套大幅提升至5,300万套,年成长率高达98%。 就长期发展角度观察,基于目前国内3G用户数占
TDK开发新传感器 可降低汽车动力方向盘成本
2010-10-20
TDK开发出了可用于汽车动力方向盘(Power Steering)等,可同时测量转向角与转向扭矩的传感器,并在“CEATEC JAPAN 2010”(2010年10月5~9日,幕张Messe会展中心)上展出。TDK介绍,尽管该公司此前也开发并在展会上展出过采用“SV-GMR”技术的转向角传感器等,但展出同时测量转向角和转向扭矩的传
海力士计划明年量产NAND Flash
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置,相较26纳米存储器,晶圆(wafer)产出量提高约25%。 海力士社长权五哲表示,自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM
各芯片厂方转向单一芯片多核心竞争
芯片厂当前无不追求芯片核心数,然超威(AMD)服务器业务技术长DONaldNewell接受IDG专访时表示,处理器高速运算能力方为芯片竞争胜负关键,处理器核心数竞赛不会持久。 Newell指出,技术上要发展128多核心处理器并非不可行,然因服务器搭载多核心处理器将耗能过巨,未来技术发展终将转变,对当前埋首撰写平行程序,以搭配多核心处理器的开发人员不啻为佳音1则。 早期处理器改善多以
4G和物联网等将获扶持性发展
根据近日出台的《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》(以下简称《决定》),新一代移动通信、下一代互联网智能终端、物联网等新一代信息技术产业被列为战略性新兴产业,将获得扶持发展。 该《决定》称,战略性新兴产业是引导未来经济社会发展的重要力量。发展战略性新兴产业已成为世界主要国家抢占新一轮经济和科技发展制高点的重大战略。 同时,该《决定》明确,战略性新兴产业是以重大技术突破和
Vishay推出四款500V、16A的N沟道功率MOSFET
2010-10-19
威世(Vishay Intertechnology, Inc.)日前宣布推出四款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2
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