媒体报道
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NXP扩展二极管产品线 最小封装的TVS产品问世
2010-07-28
恩智浦半导体(NXP SemicONductors)宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装(3.8 x 2.5 x 1 mm)的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制(TVS, Transient Voltage Suppressor)二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率(10/1000us)TVS二极管的厂商。市场上
成芯半导体11.88亿元挂牌转让 德州仪器有望接手
西南产权交易所网站公布的信息显示,成都成芯半导体制造有限公司资产转让的项目挂牌价格为11.88亿元。根据公告细则推定,其转让方获将为美国模拟及数字半导体 IC 设计制造公司-德州仪器。 公告显示,上述11.88亿元要求一次性付清,且受让方必须承诺,资产继续留在四川成都高新技术产业开发区,同时90%的员工继续聘用。该转让标的挂牌期限为7月15日至8月11日。 同时,该项目转让设立了明
M3G测试方案为高级内存提供低廉的测试成本
2010-07-27
惠瑞捷 (Verigy)推出了全新的 HSM3G 高速存储器测试解决方案,进一步拓展了面向 DDR3世代主流存储器 IC 和更高级存储器件测试能力的 V93000 HSM 平台。V93000 HSM3G 独特的优势在于其未来的可升级性,能够为数据传输速度高达6.8 Gbps未来的三代 DDR 存储器提供价格低廉的测试服务,从而前所未有地长期节约经济成本。 惠瑞捷 SOC 测试副总裁 Ha
Touchdown Technologies推出用于高级DRAM测试的全晶圆
半导体测试公司惠瑞捷 (Verigy)旗下全资子公司 Touchdown Technologies 推出了其 1Td300 全晶圆探卡,这是该公司首款用于高级 DRAM 存储器件单次触压、高容量测试的探卡。该产品能够对 300 mm或200 mm 晶圆进行高并行测试(highly parallel tesTIng)。 每探针只需要2g压力就能够测试整个300 mm晶圆—&md
英特尔计划限制Sandy Bridge芯片超频能力
北京时间7月26日,据国外媒体报道,根据英特尔公司关于即将发布的LGA1155SandyBridgeCPU组的声明,该公司计划限制该芯片的超频能力,可能只在基础时钟频率的基础上超频2%-3%。 BitTech称,在HKEPC和YouTube上泄露的视频证明了这一点。原因是英特尔已经将每条总线的速度与单一的内部时钟发生装置进行了绑定,基础频率为100MHz。 该时钟发生器与P67主板
半导体材料市场反弹至创新的记录
根据SEMI于SEMICON West上最新的数据报道,由于IC出货量的持续增加,导致半导体材料用量己经回到近08年水平,但是预期2011年的增速减缓。 2010年总的半导体前道材料(fab Materials)将由09年的178.5亿美元(与08年相比下降26,2%)提高到217.1亿美元,但仍未超过2008年241.9亿美元水平 。这是由SEMI分析师Dan Tracy在7月12日下
力晶取得大陆IC设计商龙迅逾15%股权
2010-07-26
DRAM大厂力晶 21日公告,因子公司与关系企业处分转投资事业,力晶间接取得大陆IC设计商龙迅半导体(合肥)15.85%股权,总投资金额约3.59 万美元。 法人认为,这是力晶集团继大规模在大陆布局发光二极体(LED)事业后,又一次在大陆进行电子业投资。虽然这次投资龙迅半导体金额仅约新台币100万元,但力晶集团近期首度出手在大陆IC设计业布局,有其象征性意义。 力晶表示,子公司Lo
台积电拒绝接受STC.UNM的专利侵权指控
台积电日前表示,美国半导体公司STC.UNM针对公司的专利侵权指控是不实指控。 STC.UNM是新墨西哥大学(UniversityofNewMexico)旗下一家负责技术转让的公司。 台积电在一份声明中说,公司将积极应诉,拒绝接受美国国际贸易委员会(U.S.InternationalTradeCommission)调查中的有关指控。 STC在6月底针对台积电提起诉讼,指控台积
GPU工艺仍停留在40nm 明年将迎来28nm
接下来的一年多时间里,无论是NVIDIA还是AMD,显卡GPU工艺都仍会停留在40nm上,更新的28nm至少得等到明年底。这不仅取决于AMD、NVIDIA的设计和开发能力,更受限于代工厂的工艺进度。 GlobalFoundries、台积电已经不约而同地放弃了 32nm工艺,直奔28nm,虽然能因此带来更先进的制造技术,但也需要花费更长的时间。台积电的新工艺已经开始投产,但短期内只能生产对
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