全球上市半导体企业半数来自中国

2010-12-14

　　据普华永道最新报告，在半导体产业过去八年的起落沉浮中，中国市场的表现一直好于全球其它市场。 　　在过去四个季度中，中国企业占全球新上市半导体企业数量的一半还多。普华永道全球科技行业主管合伙人拉曼-奇特卡拉说：“深圳证券交易所中，半导体企业公开上市数量已经连续四季度超过了全球其它任何一家股票交易所。” 　　随着在全球电子设备生产中所占比重持续上升，中国继续保持

2010年半导体封装盘点

2010-12-14

　　2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 　　2010年1月，SEMI公布了关于铜引线键合的调查结果。调查结果显示，有41％的半导体厂商使用铜引线键合。封装技术相关展会“NEPCON JAPAN 2010”，也指出了以铜引线键

首颗2D/3D影像转换实时处理芯片诞生

2010-12-14

　　Dialog半导体股份有限公司日前宣布推出全球首款2D/3D影像转换实时处理芯片：DA8223。该芯片为包括智能手机和平板电脑等在内的各种便携式设备提供了2D/3D视频影像实时转换处理的功能。该器件同时也集成了一个视差栅栏（parallax barrier）屏幕驱动器，允许用户在不需要眼镜的情况下观看3D内容。 　　该芯片对每一帧2D视频图像进行分析，通过分离前景图像和背景图像，创造出一

首款采用智能卡技术嵌入程序代码的硬件加密芯片

2010-12-13

　　凌科芯安公司是国内最早将智能卡技术引入加密芯片行业的公司，充分利用智能卡芯片自身的高安全性，同时辅以凌科芯安自主版权的芯片操作系统LKCOS，确保芯片内部底层接口的安全，从内而外的保护芯片内部的程序不被盗版。 　　近日，由其研发的LKT4100防盗版芯片备受市场关注，成为各厂商聚焦热点。 　　凌科芯安的LKT4100防盗版芯片真正对用户的软件代码和重要数据提供了全方位、高安全度的保护。其加

半间距9nm的最小ReRAM单元亮相

2010-12-13

　　台湾NATIONal Nano Device Laboratories与美国加州大学伯克利分校（University of CALIfornia，Berkeley），共同开发出半间距极小仅为9nm的可变电阻式存储（ReRAM）单元，并确认了其功能（演讲序号19.1）。 　　该单元在实现非易失性可变电阻材料上采用了过渡金属氧化物（TMO）类的钨氧化物（WOx）。并且，为便于9nm工艺的微细加工

15nm CMOS技术的发展

2010-12-13

　　在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”开幕前一天的2010年12月5日，举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻辑LSI方面，美国英特尔已开始量产32nm工艺的微处理器，最大硅代工

硅CMOS技术可扩展到10nm以下

2010-12-13

　　“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。 　　半导体制造技术国际会议“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting（IEDM 2010）

我国元器件电子商务方兴未艾 诚信建设是关键

2010-12-10

　　尽管目前全球信息电子行业已经度过景气度最高的时候，整体已呈现出下行的趋势。但是作为新兴产业之一，在我国，信息电子产业从“保增长”的2009年进入“调结构”的2010年后，呈现出欣欣向荣的发展态势。 　　根据中国产业发展研究院的报告显示，预计到2015年，我国电子元器件总产量将达到5万亿只，销售收入达到5万亿元；阻容感片式

高通或将研发全球首款多模3G/4G集成芯片

2010-12-10

　　在日前召开的2010高通中国合作伙伴大会上，高通CDMA技术集团产品发展高级副总裁克里斯蒂安诺·阿蒙介绍称，高通将在明年推下一代基于28纳米规格的SnapdragON芯片系列产品，在芯片图形处理能力方面将是目前Snapdragon芯片的4倍。 　　据阿蒙介绍，在明年推出的Snapdragon芯片中将出现全球首款多模3G/4G集成式芯片，在CPU方面采用新型微架构，将性能提升5倍