FM25L04-GA 4Kb Serial F-RAM Qualified to +125C Aut

2007-10-26

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron宣布扩大其应用于汽车设备+125C运行温度的铁电存储器产线--FM25L04-GA(容量:4KB，工作电压:3V, 带串行接口)，其规格达到了AEC-Q100一级，能在汽车温度范围(-40C 至 +125C)下工作，而且在极端温度下仍能保留数据长达9,000小时。 先进传动系统的设计已经采用FM25

Fimicro推出4兆位铁电存储器的单板计算机及智能输入输

2007-10-18

Fimicro的RAID卡采用F-RAM，取代FLASH，SRAM以及EEPROM技术，能更好地保证数据的完整性，防止数据丢失以及保护系统状态。 　　非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RAMTRON宣布德国嵌入式软件和硬件供应商Fimicro已在Active104新系列单板计算机以及智能I/O扩展模块中采用非易失性铁电存储器。FimicroO已将RAMTR

Ramtron 以2兆位装置扩展高密度的F-RAM系列产品

2007-10-09

2007年10月2日，美国科罗拉多州春城，美国国际公司（交易代码：RMTR），一个领先的非易失性铁电随机存储器（F-RAM）和半导体产品的开发商和供应商，以2兆位平行存储设置扩展了高密度F-RAM的系列产品。FM21L16 是2Mb,3伏，平行的非易失性RAM、44管脚、TSOP-II 封装。以读写速度快、无等待写入、无限次读写循环、低电压损耗为特性、异步静态RAM管脚兼容（SRAM）为特性。FM

RAMTRON扩展VERSA 8051产品系列推出2KB铁电存储器微控

2007-09-26

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及

Ramtron 代理 - 中国服务中心

2007-09-25

Ramtron 代理 - 中国服务中心,华胄科技有限公司 华胄科技有限公司发展历程 2001-10 华胄科技公司成立 深圳市华胄科技有限公司成立于2001年10月，注册资300万元，具有自主进口权。华胄科技成立伊始就把振兴中国电子产业作为己任，通过引进世界先进国家地区的产品和技术，在服务现代化建设事业进程中，不断提升自己的专业技术水平和专心服务精神。

Ramtron 代理:Ramtron 推出符合+125℃工作要求的串行F

2007-09-25

Ramtron 代理,华胄科技有限公司报道 Ramtron推出新一款符合+125℃工作范围要求的串行FeRAM器件。这款3V、64Kb的FeRAM器件FM25CL64-GA具有高速串行外设接口 (SPI)—现符合Grade1AEC-Q100的规范要求，适用于汽车发动机周边和乘客舒适性设备。为了配合这项产品发布，Ramtron已将其Grade1运行数据保持时间规范升

Ramtron 代理,华胄科技有限公司

2007-09-25

Ramtron 代理,华胄科技有限公司 Ramtron 公司开发的铁电存储器是获得专利的产品，它是新一代的高效能、低功耗的半导体存储器。在断电的情况下，能及时保存数据。基于这些独特优点和特性，铁电存储器被工业界认为是有希望引起电子产品消费者和工业产品革命的产品. Ramtron 代理,华胄科技有限公司,成立于2001 年10月，注册资金300万元，具有自主进出口权。 华胄科

Ramtron 代理,深圳华胄科技有限公司

2007-09-25

Ramtron 代理,华胄科技有限公司 Ramtron 公司开发的铁电存储器是获得专利的产品，它是新一代的高效能、低功耗的半导体存储器。在断电的情况下，能及时保存数据。基于这些独特优点和特性，铁电存储器被工业界认为是有希望引起电子产品消费者和工业产品革命的产品. 作为Ramtron 代理,华胄科技有限公司,成立于2001 年10月，注册资金300万元，具有自主进出口权。 华

Ramtron Extends Versa 8051 Family with 2KB F-RAM M

2007-09-20

Nonvolatile data storage/processing system is ideal for saving system status, data logging, and storing nonvolatile variables in a range of applications COLORADO SPRINGS, CO — September 18, 2